报名 | 芯片级电磁仿真工具Ansys RaptorH网络研讨会
它能有效帮助客户解决不良干扰,避免可能导致设计周期延长、风险增大、成本升高以及性能不理想等不良影响。近期,Ansys RaptorH仿真解决方案也已通过三星Foundry认证,该解决方案用于研发高级片上系统(SoC)和2.5维/三维集成电路(2.5D/3D-IC)。
会议主题
Ansys RaptorH简介-SoC,混合信号和RFIC电磁建模
Introducing Ansys RaptorH: SoC, Mixed-Signal and RFIC Electromagnetic Modeling
*本次会议主题将分为两个时段进行,请感兴趣的观众选择合适的时段报名参加即可。
会议时间
北京时间:2020年6月3日,早上8:30
北京时间:2020年6月4日,晚上10:30
简介
Ansys电磁场求解器增加新工具RaptorH,该工具将应用领域扩展到芯片和其构成的电子系统。增强后的片上电磁仿真工具RaptorH将包括Ansys HFSS标准引擎并将其集成到易用的界面中,以供芯片设计人员使用,同时工具保持了Ansys RaptorX的速度与大容量。本次网络研讨会中将针对RaptorH以下功能做介绍:
如何获取适配每个仿真任务的最佳引擎
易于使用的GUI界面针对芯片级EM分析进行的优化
芯片工艺厂认证和工艺厂tech file相关信息
FinFET支持先进工艺到5nm及以下
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