10/20 | 新一代FinFET SoC设计的热、EM和ESD可靠性签核

课程内容：

本次网络研讨会将重点介绍如何使用Ansys可靠性签核方案为FinFET工艺下的SoC设计提供全面的热、EM和ESD可靠性签核分析。包含基于Ansys Totem及Redhawk-SC平台的从标准单元库、数模混合IP、数字SoC到封装和系统级别的热分析，以及考虑了热效应的EM签核分析，还将介绍基于Ansys PathFinder平台的从IO、IP、SoC到封装和系统级别的ESD完整性签核分析。

课程简介：

采用新一代FinFET技术的SoC设计具有众多优势，如更低的漏电流、更高的性能、更小的封装面积、更大的集成度等。鉴于这些优势，越来越多的高性能SoC选择使用FinFET工艺，并广泛地应用在移动通信、5G、高性能计算、AI和ADAS等领域。然而FinFET工艺也给设计人员带来更多地可靠性挑战，如更高电流密度引起的更高温度、自发热、电迁移（EM）和静电放电（ESD）等。可靠性设计已经成为FinFET工艺下SoC设计的关键考虑因素，设计人员需要在设计中的每一个阶段对热、EM和ESD进行准确的签核分析，以确保最终产品的质量和可靠性。

Ansys和主流代工厂在FinFET先进工艺下合作定义了完整的多物理场可靠性签核方案，支持从IP到SoC到封装和系统的整个设计流程中进行热、EM和ESD仿真，找到设计中的缺陷，提供准确的签核分析，保障产品一次流片成功。

培训时间：

2020年10月20日（周二） 16:00~ 17:00

主讲讲师：

杨晨

点击图片或点击报名链接报名：http://event.31huiyi.com/1909637972/index?c=jishulink