卤化物钙钛矿/晶体硅(C-Si)串联太阳能电池的功率转换效率超过了单结电池的极限。然而,嵌入在这种金字塔型多结结构中的钙钛矿材料的局部光-物质相互作用以及对器件性能的影响还没有很好的理解。 来自剑桥大学等单位的研究人员报导了钙钛矿型半导体沉积在不同的C-Si织构方案的微尺度光电特性。发现了在卤化物钙钛矿薄膜中,光致发光(PL)与几何表面结构有很强的空间和光谱依赖性,这决定了潜在的晶粒间PL的变化。光致发光响应取决于纹理设计,较大的金字塔会引起山谷和金字塔的不同光致发光光谱,这种影响可以通过小金字塔来缓解。此外,当C-Si大金字塔进行二次平滑刻蚀时,会出现优化的准费米能级分裂和PL量子效率。作者的结果表明,需要对纹理进行整体优化,以最大化两个吸收层的光进出耦合,并且最佳几何结构和光电性能之间存在良好的平衡,这将指导未来的器件设计。相关论文以题目为“Multimodal Microscale Imaging of Textured Perovskite−Silicon Tandem Solar Cells”于ACS Energy Letters期刊上。 论文链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsenergylett.1c00568