静电为什么能击穿MOS管?如何应对?
静电击穿
其实MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。
静电击穿有两种方式:
一是电压型:即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;
二是功率型:即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。
静电的基本物理特征为:
有吸引或排斥的力量;
有电场存在,与大地有电位差;
会产生放电电流。
元件吸附灰尘,改变线路间的阻抗,影响元件的功能和寿命;
因电场或电流破坏元件绝缘层和导体,使元件不能工作(完全破坏);
因瞬间的电场软击穿或电流产生过热,使元件受伤,虽然仍能工作,但是寿命受损。
电子元件及产品在什么情况下会遭受静电破坏?
MOS管被击穿的原因及解决方案
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