基于vasp的电子和空穴的有效质量计算方法

计算有效质量分为两种方法，一是由能带计算有效电子质量，二是结合vaspkit计算有效质量，下面分别阐述。

方法一：

1、优化结构(二维材料需要考虑范德华校正、OPTCELL控制晶格等，根据实际情况而定)

2、SCF自洽计算，取CHGCAR进行能带计算

3、能带计算之后得到highk.dat是高对称点的坐标位置，这些坐标就是能带图中对于的高对称位置。

4、找到导带底的位置，取其附近的点，示例取了9个点，如下图，取得是G高对称点左右的9个点。注意这里X和Y是对称的，最好取一侧的，也就是X-G的，因为对于不同的体系不同的K点路径曲率不同的。

5、横坐标是动量空间 1/angstrom单位，要换成1/Born单位，横坐标做变换x'=x*0.5292*2*pi/a, 其中a是晶格常数（认为是垂直与高对称路径面的方向，比如你走的是g2-g3面则a是x方向的晶格）。x是原来的坐标，x'是变换单位后的坐标。纵坐标变换y'=y/27.21。由ev换成hatree。

6、拟合：2阶多项式，提取2次项 C。则m=1/(2*C)m0

方法二：结合vaspkit轻松求出有效质量

1、计算能带，得到带带边，价带顶和导带底均位于高对称点K点处。或者直接通过vaspkit911得到带边位置

2、准备VPKIT.in，如下

 

3、运行vaspkit-912或者913产生KPOINTS，POTCAR，编写INCAR(INCAR不能直接用vaspkit生成的)，

4、提交vasp任务，之后将VPKIT.in文件中第一行的1修改为2，然后再次运行vaspkit并选择913，得到以下结果，即为空穴和电子的有效质量。

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