低压电器电路理论总结2

21. 栅片电弧背后电弧热击穿；

22. 背后热击穿，电弧电压波形存在波浪形状

23. 电弧进入灭弧栅片以后，它造成的热气流将会经灭弧室后壁反射，  这种反射的热气流进入背后区域将提升背后区域的温度和气体的游 离，因而采取措施，防止热气流反射进入背后区域；

24. 收缩型跑弧通道的灭弧室，有利于推动电弧进入灭弧室，而不利于 热气流的反射；

25. 塑壳断路器紧凑，触头系统放置于 灭弧栅片两条腿的中间，电弧接触 产气材料，材料气化，冷却电弧并 推动电弧进入灭弧室，同时抑制背 后击穿；

26. 鞘层扮演着重要的角色，在新弧根移动和灭弧栅片切弧过程；

27. 在灭弧室开一个很大的出气口，虽然可以排出热气流，但容易造成电弧喷弧 距离过大；电弧跑出灭弧室，电弧电压反而大幅度降低，并且有可能造成三相短路；有效的措施是在灭弧室外侧设置吸收装置或热气流缓冲室，吸收装 置可采用金属网等装置，用于吸收热气流带电粒子，降低气流温度；

28. 当电弧进入灭弧室之后，灭弧栅片将电弧分成多个短弧，利用近极压降使电弧电压上升，而通过电弧的电流是随着电弧温度的下降及电弧背后区域温度 的上升而减少的；电弧电阻越来越大，而电弧背后区域则是一个高温导电通 道，其电阻相对于栅片电弧电阻逐渐减小，因此电弧背后区域可能重新击穿，  电弧退出灭弧栅片；

29. 电弧被拉长，电弧电压会上升；

30. 限流作用主要决定于电弧电压，提高电弧电压就意味着每一阶段电弧电压出现得更早，电弧电压上升得更快，并且电弧电压达到的幅值更高；

30. 低压断路器的电弧压降有两部分组成，即电弧拉长后的弧柱压降U1和近极压降△U，近极压降为保持电弧阴极电子发射和阳极带电粒子收集所必需的电压降，是阴极压降Uc和阳极压降Ua之和，即△U=Uc+Ua，一般为20-25V；

31. 一般小型断路器采用的栅片数量为10-20片，小型断路器常采用单相电路，且电弧电压幅值为1.414*220V=311V；

32. 对于塑壳断路器，为了让电弧顺利的进入栅片，传统的结构栅片间距需2mm左右，因而受结构上的限制，栅片数取得较少，一般为6-10片；8片近极压降为225V，塑壳断路器用于开端三相电路，电网线电压幅值可达1.414*380V=537V；

33. 框架断路器的栅片数量一般为15-20片；

34. 对栅片灭弧的低压塑壳断路器来说，当优化设计灭弧室或选择新的灭弧结构，往往是同时提高弧柱电压和短弧电压；例如采用气吹结构，气吹对电弧的冷却作用，有助于提高弧柱电压，而气吹吹动电弧，使电弧能顺利的进入栅片，提高短弧的分割数，也提高了短弧电压；

35. 单向低压斥开，双向高压斥开；

36. 双向斥开结构的触头开距较单向斥开结构有所增加，可以放置更多的栅片，电弧拉长各大，增加了弧柱电压和短弧电压；

37. 双断点开端的触头系统能获得最佳的限流性能；有平行双端点和旋转双端点触头系统，后者可降低空间；

38. 双断点触头系统与气吹结合可获得更佳的分断性能；同一类触头系统，有气吹的电弧电压和灭弧室压力都较无气吹的高，这说明气吹使灭弧室压力上升，促进气吹而冷却驱动电弧；

39. 弧隙能否承受恢复电压，决定于鞘层和弧柱在过零瞬间的电流密度J，根据实验和分析，最大允许电流密度为1mA/cm2；随着鞘层厚度的增加，击穿电压也增加；

40. 电流越高，弧隙的介质强度恢复越慢，介质恢复电压降低；增加栅片厚度，介质恢复较高；