一种具有取向的BN/UHMWPE导热复合材料
背景介绍
随着智能时代和第五代(5G)移动网络的蓬勃发展,大数据、人工智能、智能设备等行业正朝着集成化、轻量化、小型化方向发展。然而,5G技术的嵌入导致智能设备的功率密度爆炸式增长,过多的热量积累会降低芯片的工作效率,甚至加速老化。通过热界面材料(TIMs)对芯片进行有效的热管理是改善散热的有效措施。
聚合物基TIM因其优异的电绝缘性能、轻量化和高稳定性而受到广泛关注。与普通热塑性材料相比,超高分子量聚乙烯(UHMWPE)由于分子量和缠结大,不存在粘性流动。即使在芯片过热的极端情况下,基于UHMWPE的TIMs也不会因为熔体流动而对电子元件造成不可逆的损坏,但是其粘度阻碍了基于UHMWPE的复合材料的制造。
虽然石墨、石墨烯、碳纳米管(CNTs)、碳纤维、银颗粒、银纳米线、铜纳米线具有较高的导热性,但其较差的绝缘特性阻碍了TIMs在芯片封装领域的推广应用。氮化硼(BN)在陶瓷填料中导热系数最高(>250 W/mK),具有良好的电绝缘性和较低的成本。因此具有制备各向异性复合材料的优势。
制备取向复合材料的传统方法,如化学气相沉积、磁场或电场、冷冻铸造和真空过滤等,通常效率低下。此外,填料互连性低和三维导热网络的结构缺陷严重限制了复合材料导热性能的提高。因此,有必要探索高效的成型方法来制备具有高导热性的BN/UHMWPE复合材料。
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