随机电报噪声(Random Telegraph Noise,RTN)是一种电子噪声,它会引起信号处理中的波动和错误,长期以来一直是电子系统中的一个麻烦。然而,来自韩国基础科学研究所(IBS)集成纳米结构物理中心的一组研究人员取得了一项的突破,可以潜在地利用半导体的这些波动。由LEE Young Hee教授领导的研究小组报告说,通过在二硒化钨(V-WSe2)中引入钒作为微小的磁性掺杂剂,可以在vdW层状半导体(一类具有层状结构的半导体材料,其名称来源于van der Waals力,这是一种分子间相互作用力。)中产生磁波动和巨大的RTN信号。