随机电报噪声（Random Telegraph Noise，RTN）是一种电子噪声，它会引起信号处理中的波动和错误，长期以来一直是电子系统中的一个麻烦。然而，来自韩国基础科学研究所（IBS）集成纳米结构物理中心的一组研究人员取得了一项的突破，可以潜在地利用半导体的这些波动。由LEE Young Hee教授领导的研究小组报告说，通过在二硒化钨（V-WSe2）中引入钒作为微小的磁性掺杂剂，可以在vdW层状半导体（一类具有层状结构的半导体材料，其名称来源于van der Waals力，这是一种分子间相互作用力。）中产生磁波动和巨大的RTN信号。
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