日本半导体公司Rapidus与法国研究机构签订1nm技术开发协议

CINNO Research产业资讯，据外媒11月16日报道，日本国有半导体企业Rapidus将推动与法国研究机构合作，共同开发半导体技术。

据报道，Rapidus（日本高端芯片公司）与东京大学、法国电子信息技术研究院(CEA-Leti)达成协议，将共同开发1纳米(nm·10亿分之一米)工艺半导体设计所需的基础技术。Rapidus是一家日本国有半导体企业，由丰田汽车、电装集团、索尼集团、NTT、NEC、软银集团、铠侠、三菱UFJ银行共同出资，于去年11月成立。

Rapidus通过东京大学等日本国立大学和理化学研究所参与的“最尖端半导体技术中心(LSTC)”，与CEA-Leti上个月签署了考虑合作相关的备忘录。CEA-Leti是成立于1967年的法国电子信息技术研究院，在与纳米技术相关的应用研究机构中，是全球规模最大的。

纳米工艺是指半导体回路线幅的单位。线幅越窄，功率效率越高，处理速度越快。目前最领先的技术是3纳米。针对2纳米技术开发，三星电子和台湾的TSMC等正展开激烈竞争。

据日经报道，Rapidus也制定了在2025年试生产2纳米产品，从2027年开始量产的目标。为此，计划投资5万亿日元（约2407亿人民币）。为开发2纳米工艺半导体，与欧洲顶尖半导体研发机构比利时综合半导体研究所IMEC建立了技术合作。并与美国的头部科技公司IBM展开合作。

Rapidus为超越2纳米技术，抢占1纳米技术，携手法国研究机构共同开发。CEA-Leti计划进行新的元件研究，LSTC计划推动原型评估、验证和人才派遣等。

日经表示：“日本没有设计和开发1纳米工艺半导体的knowhow，因此Rapidus考虑与海外研究机构和企业构筑联合研发体系。”

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