利用ANSYS实现DOE分析的方法

利用ANSYS实现DOE分析的方法

 

1. 背景



1.1 田口正交法


    田口品质设计法,是利用田口玄一博士[1]所设计的正交表,设计少量的参数组合,进行实验,并使用S/N比表示产品品质的好坏,以求的最佳组合,而达到高良率,低成本的重要方法。

正交表[1]为一组矩阵式数字,每一行代表一个特定实验中因素的状态,每一列代表一个特定的因素或条件组合。主要以较少的实验次数来获得有用的统计资料,正交表以La(bc)命名,代表共有a组实验,最多容纳b个水平的因子c个,以L18(21×37)为例,由1个2水平的因子和7个3水平的因子所组成,需实验18次,因此,正交表的目的在于:(1)了解控制因子(Control Factor)及干扰因子(Noise)对产品品质的影响;(2)由计算S/N比及进行变异分析(Analysis of Variance),以找出影响较大的因子,并求出最佳的参数组合。


1.2 信号噪音比(Signal to Noise Ratio)


    信号噪音比(S/N)[1]是田口品质工程上重要的评估指标,可用来表示制程或产品的水平受误差因素影响的程度。有田口博士将平均品质损失经由对数转换、乘以10、并取负号,称为S/N比,由于品质特性的目标不同,故计算S/N比由品质特性可分为三种特性:

(1)望小特性            

    S/N比越大,表示平均值越靠近0,且变异越小。即提高S/N比即可使变异变小,且平均值越靠近目标值0。

(2)望大特性

(3)望目特性


1.3 变异分析(ANOVA)


    变异分析(Analysis of Variance)主要是评估实验误差,找出影响较大的控制因子,并利用统计分析,可辅助图表的不足。




2. 工程实例



2.1 实例背景


    例如,我们在分析封装的热应力时,由于封装结构尺寸较多、材料通常比较复杂,难以每个结构以及材料都进行单因素分析,另一方面,单因素分析难以考虑到结构间、结构-材料、材料间的交互影响,因此,我们推荐利用田口正交分析,利用一定量、可控的实验分析,对结构、材料复杂,每种因素包含水平较多的实验,进行分析。

本例结构因素以及水平如下:


360截图20161205203323120.jpg


 


因子

单位

水平1

水平2

水平3

A

芯片尺寸

mm

2.0

3.0

4.0

B

芯片厚度

mm

0.1

0.2

0.3

C

铜柱直径

mm

0.08

0.10

0.12

D

铜柱高度

mm

0.03

0.05

0.07

E

焊料高度

mm

0.01

0.03

0.05

F

PI开口大小

mm

0.03

0.05

0.07

 

2.2 确定实验量


    如上节,如果我们将每个因素的每个水平都进行分析,我们则需要进行3e6=639组实验,这是我们所不能接受的。

正交表的形式和计算方法在此不做详细讨论,实际使用中,我们可以通过软件直接选择生成正交表。

如下表为minitab软件,可以在软件中选择因素和水平后,直接生成正交表。

 

360截图20161205205947354.jpg

 

2.3 提取ANSYS中的仿真结果


    可以在ANSYS中计算得到我们关注结构的应力或位移等数值,如本例中的Bump中线路层中的第一主应力值,并记录在下表中,并由第一章节中的公式计算得到信噪比(dB)。

360截图20161205203333590.jpg

序号

A

B

C

D

E

F

第一主应力(MPa)

信噪比(dB)

1

1

1

1

1

1

1

134.5

-42.57

2

1

1

1

1

2

2

159.3

-44.04

3

1

1

1

1

3

3

182.8

-45.24

4

1

2

2

2

1

1

174.3

-44.83

5

1

2

2

2

2

2

190.6

-45.60

6

1

2

2

2

3

3

210.7

-46.47

7

1

3

3

3

1

1

196.3

-45.86

8

1

3

3

3

2

2

224.2

-47.01

9

1

3

3

3

3

3

220.2

-46.86

10

2

1

2

3

1

2

102.3

-40.20

11

2

1

2

3

2

3

121.7

-41.71

12

2

1

2

3

3

1

96.8

-39.72

13

2

2

3

1

1

2

177.0

-44.96

14

2

2

3

1

2

3

198.3

-45.95

15

2

2

3

1

3

1

221.1

-46.89

16

2

3

1

2

1

2

333.3

-50.46

17

2

3

1

2

2

3

349.9

-50.88

18

2

3

1

2

3

1

289

-49.22

19

3

1

3

2

1

3

76.3

-37.65

20

3

1

3

2

2

1

67

-36.52

21

3

1

3

2

3

2

71.4

-37.07

22

3

2

1

3

1

3

349.3

-50.86

23

3

2

1

3

2

1

304.6

-49.67

24

3

2

1

3

3

2

370.1

-51.37

25

3

3

2

1

1

3

303.0

-49.63

26

3

3

2

1

2

1

307.6

-49.76

27

3

3

2

1

3

2

310.3

-49.84

 

2.4 利用Minitab生成结果

 

    将上一节ANSYS得到的结果输入至Minitab的结果栏,注意与实验次序相一致,并于软件内进行分析,可得到如下图表所示的结果。

F、P值代表因素影响结果的强弱,一般P≤0.05即认为是影响较大的因素。

下图中红色点的含义为,当此因素的水平为红点处的数值时,此时结构因素的组合为最优组合设计。

 

 

来源

自由度

Seq SS

Adj SS

Adj MS

F

P

芯片尺寸

2

0.855

0.855

0.428

1.05

0.375

芯片厚度

2

355.094

355.094

177.547

436.95

0

铜柱直径

2

116.313

116.313

58.156

143.13

0

铜柱高度

2

24.097

24.097

12.048

29.65

0

焊料高度

2

1.903

1.903

0.952

2.34

0.133

PI开口大小

2

5.794

5.794

2.897

7.13

0.007

残差误差

14

5.689

5.689

0.406

合计

26

509.746

 


 

360截图20161205203342743.jpg


 

 

 

 

[1] 张家豪,陈荣盛.以田口品质工程分析QFN封装体疲劳寿命之最探讨[D].台湾:国立成功大学,2007


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